Resumen:
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| GaMnAs es un semiconductor ferromagnético diluido en el cual la interacción de canje es inducida por los portadores des-localizados. Debido a un fuerte acoplamiento spin-orbita la superficie de fermi es bastante anisotrópica, así que, al elaborar una barrera túnel (filtro en el espacio-k) solo una parte de la densidad de estados de la superficie (L-DOS) contribuirá al transporte túnel. De manera interesante, la densidad local de estados puede modificarse mediante la rotación del vector de magnetización. La redistribución de L-DOS origina un cambio en la corriente túnel, denominado “Magnetoresistencia anisotrópica túnel” (T-AMR).
Este proyecto de investigación consiste en un estudio de las propiedades de magneto-transporte (T-AMR) de un diodo túnel Esaki GaMnAs/GaAs, las cuales están estrechamente relacionadas con la estructura de la banda de valencia del electrodo GaMnAs. Este dispositivo túnel permite realizar una espectroscopia de la T-AMR en el espacio de energía e impulsión, y de tal manera obtener una profunda comprensión del rol de la estructura de bandas de GaMnAs en la T-AMR. |